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光模塊外殼資訊

光模塊外殼壓接指導(dǎo)書

作者:網(wǎng)絡(luò)投稿            發(fā)布時間:2023-03-21 00:00            閱讀次數(shù):183

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本文目錄一覽:

1、光模塊外殼壓接指導(dǎo)書

2、泰和安3207強啟模塊怎么接?

光模塊外殼壓接指導(dǎo)書

振弦采集模塊(振弦采集儀核心)電源接口詳細(xì)情況

VMXXX 模塊有多個電源接口,分別為: 寬電壓電源輸入( VIN)、內(nèi)核電源( VDD)、 參考電壓源( VREF)、 振弦傳感器激勵電源( VSEN), 各電源共用 GND。

河北穩(wěn)控科技振弦采集模塊

電源輸入( VIN): 寬電壓 VIN 管腳為模塊供電( DC5~15V),推薦電壓為 6.0V~10.0V, VIN 可產(chǎn)生內(nèi)核電源 VDD, 當(dāng)使用 VIN 管腳為模塊供電時, VDD 管腳為輸出,輸出能力為 200mA, 盡量不要使用 VDD 輸出過大電流,以免影響模塊內(nèi)核的正常工作。

內(nèi)核電源( VDD): 可由 VIN 產(chǎn)生,當(dāng)不使用 VIN 時,此管腳作為電源輸入, 需要外接 DC3.3V電源。 模塊工作時峰值電流約為 100mA,建議使用輸出能力 200mA 或以上的電壓源。 VMXXX 模塊內(nèi)部有電壓校準(zhǔn)機制,對 VDD 電壓值無嚴(yán)格要求。

參考電壓( VREF): 此管腳為輸入,應(yīng)直接連接到 VDD(無需精準(zhǔn)的參考電壓源)。

激勵電源( VSEN): VSEN 為傳感器激勵過程提供電能,當(dāng)采用高壓激勵方法時, VSEN 作為泵壓源, 一般情況下 VSEN 電壓越高則可獲取的激勵電壓也越高; 當(dāng)采用低壓掃頻激勵方法時,VSEN電壓即是掃頻電壓。 建議采用200mA 或以上的電壓源為VSEN供電,供電電壓推薦為DC8V~12V。

注意: VMx1x 模塊時, VSEN 可選擇是否在內(nèi)部連接于 VIN,請在確認(rèn)后再使用 VSEN。請?zhí)貏e注意電源的設(shè)計。 振弦傳感器返回信號為微弱的正弦波, 為減少電源紋波對傳感器信號的影響,建議所有電源均使用紋波較小的 LDO 穩(wěn)壓器。 當(dāng)使用交流電轉(zhuǎn)直流的供電方式時,模塊地線( GND)一定要可靠接地(大地), 某些低端的交流轉(zhuǎn)直流適配器會將交流干擾引入,嚴(yán)重影響模塊信號處理質(zhì)量,甚至完全無法使用。

建議靠近電源管腳( VDD 尤其重要) 使用一個 10μF 鉭電容(低 ESR)和一個 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。增加并聯(lián)的電容可以有效去除高頻干擾。同時為防止浪涌對芯片的損壞,建議在模塊電源輸入管腳使用一個適合電壓的 500mW 的齊納二極管防止模塊的超壓損壞。 PCB 布局時,電容和二極管應(yīng)盡可能靠近模塊的電源輸入管腳。

電源連接示意:

河北穩(wěn)控科技振弦采集模塊電源

參數(shù)復(fù)位管腳

RST 管腳為雙向管腳, 在不同運行階段具有不同功能:

上電啟動時 RST 管腳為輸入,當(dāng)檢測到管腳為低電平時復(fù)位參數(shù)為出廠值。詳見“3.3 恢復(fù)出廠參數(shù)” 。在啟動完成后此管腳為 IIC-SDA 功能。VMx0x 模塊的 RST 管腳未連接上拉電阻,為了防止上電時參數(shù)復(fù)位,外部必須連接2k~4.7k 上拉電阻,其它型號模塊此管腳已內(nèi)置了 4.7k 上拉電阻。

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應(yīng)用領(lǐng)域

應(yīng)力應(yīng)變: 結(jié)構(gòu)應(yīng)力應(yīng)變、基坑支護、 管廊、 地下工程

儀器儀表: 振弦(采集儀)讀數(shù)儀表開發(fā)。

自動化、 信息化: 結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)替代傳統(tǒng)人工檢測。

泰和安3207強啟模塊怎么接?

強啟模塊和繼電器接線把三根線接上,電阻不要拆,給壓上


然后到風(fēng)機箱這,


正極接終端電阻紅,負(fù)極接黑,


負(fù)極再接出一根來,


然后終端電阻另外兩根線接風(fēng)機箱內(nèi)的繼電器端子,


負(fù)極接出的另一根,和電纜剩余的另一根接,接觸器的開點,

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